Деградація та надійність
Курс “Деградація та надійність” є курсом з професійної підготовки магістрів високих технологій за напрямком підготовки “Прикладна фізика”. Курс читається у 2 семестрі в обсязі 1 кредиту (за Європейською Кредитно-Трансферною Системою ЕСТS), в тому числі 17 годин аудиторних занять (8 лекційних та 9 семінарських), і 19 години самостійної роботи.
Метою і завданням навчального курсу “Деградація та надійність” є ознайомлення з проблемою надійності в електроніці, основними механізмами деградації та відмов, методами оцінки та прогнозування надійності виробів електроніки.
Предмет навчальної дисципліни “Деградація та надійність”: показники надійності, фактори ненадійності, фізико-хімічні процеси деградації та відмов, методи визначення, прогнозування та покращення надійності виробів електроніки.
Вимоги до знань та вмінь.
Студент повинен знати:
кількісні показники надійності та експериментальні методи їх визначення, фізичні методи аналізу відмов, типи випробувань, методи оцінки та прогнозування надійності.
Студент повинен вміти:
планувати експериментальне дослідження показників надійності та параметрів деградаційних процесів, прогнозувати надійність виробів електроніки за результатами досліджень в тому числі і прискорених, розробляти тестові структури для дослідження де градаційних процесів та прогнозування надійності виробів інтегральної електроніки.
Місце в структурно-логічній схемі спеціальності.
Курс “Деградація та надійність” базується на курсах загальної фізики, квантової механіки, електродинаміки, термодинаміки, фізики твердого тіла, фізики напівпровідників, технологія напівпровідників, фізика низько вимірних систем та математичних дисциплін. Він сприяє кращому засвоєнню курсів твердотільна мікро- та нанотехнологія, наноматеріали та структури на їх основі, та інших, є необхідним для роботи в області розробки та виробництва матеріалів, структур та приладів
Перелік рекомендованої літератури:
- Надежность электронных элементов и схем / Под ред. С.И.Шнайдера. – М., 1977.
- М.М.Некрасов, В.В.Платонов, Л.И.Дадеко Испытания элементов электронной аппаратуры. – К., 1982.
- Физические основы надежности интегральных схем. / Ред. Ю.Г.Миллера. Москва, Сов. радио, 1976, 320 с.
- Пряников В.С. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов.- М., 1978.
- Стриха В.И., Бузанева Е.В. Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике. – М., 1987.
- Чернышев А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем. – М., 1988.
- Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Ред. Дж.Поута, К.Ту, Дж.Мейера. Москва, Мир, 1982 – 575 с.
- Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления. / Ред. Д.В.ДиЛоренцо, Д.Д.Канделуола, Москва, Радио и связь, 1988 – 494 с.
- Р.Маллер, Т.Кейсмис Элементы интегральных схем. Москва, Мир, 1989 – 630 с.
- О.П.Глудкин, В.Н.Черняев Технология испытания микроэлементов радиоэлектронной аппаратуры и интегральных микросхем – Москва, Энергия, 1980. – 360 с.
- Действие проникающей радиации на изделия электронной техники/ Ред. Е.А.Ладыгина. – Москва, Сов. радио, 1980. – 224 с.
Додаткова література
- С.П.Новосядний, Р.М.Іванюк Підвищення теплостійкості і багатошарової металізації субмікронних структур ВІС. Фізика і хімія твердого тіла, Т. 8, № 4 (2007) с. 850-855.
- G.I.Vorobets, O.I.Vorobets, A.P.Fedorenko, A.G.Shkavro Aging and degradation of aluminum-silicon stractures with a Schottky barrier after a pulsed laser irradiation Functional Materials 10, 3, 2003.
- G.I.Vorobets, M.M.Vorobets, V.N.Strebezhev, E.V.Buzaneva, A.G.Shkavro Physical Mechanism of Laser Correction and Stabilization of the Parameters of Al-n-n+-Si-Al Schottky Barrier Structures Semiconductores, Vol. 38, №. 6, 2004, pp.663-665
- Г.І.Воробець, М.М.Воробець, Т.А.Мельнічук, А.Г.Шкавро Структурні зміни плівок Al, SiO2, Si внаслідок старіння після імпульсного фотонного опромінення та їх вплив на характеристики контактів Al-n-Si з бар’єром Шотткі Фізика і хімия твердого тіла т. 6, № 1 (2005) с. 165-169